| MASSE | PRODUKT | DIAMETER | KRYSTAL | SLAGS | DOPANT | ORIENTERING | TYKKELSE | RESISTIVITET | |
| G8P131 | SÅ JEG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 14~19 | Enhed: 55±7,5nm, 8~12 ohm.cm / æske: 145±10nm, hak<110> |
| C19404-3-2 | SÅ JEG | 200 | CZ | NA | NA | 100 | 725±15 | >750 | Enhed: 210~230nm, 8~12 ohm.cm / boks: 2950~3050nm |
| G8P238S | SÅ JEG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 14~19 | Enhed: 200~240nm, 8~12 ohm.cm / boks: 1950~2050nm |
| G8P217 | SÅ JEG | 200 | CZ | NA | NA | 100 | 725±15 | >750 | Enhed: 210~230nm, P<100>, 8~12 ohm.cm / æske: 1950~2050nm |
| G8P500 | SÅ JEG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 8~12 | Enhed: 500±50nm / boks: 2950~3050nm, hakorientering<110> |
| G8P600 | SÅ JEG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 8~12 | Enhed: 600±60nm / boks: 2950~3050nm, hakorientering<110> |
| G8P340 | SÅ JEG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 8~12 | Enhed: 340±25nm / boks: 2900~3100nm, hakorientering<110> |
| G8P288 | SÅ JEG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | >1000 | Enhed: 145±12,5nm, 8~12 ohm.cm / æske: 400±25nm, hak<110> |
| G8M107 | SÅ JEG | 200 | CZ | N | Ph | 100 | 725±15 | 0.3~1.2 | Enhed: 1500±80nm, P/B<100>, 14~22 ohm-cm / æske: 950~1050nm, hak<100> |
| 230300058 | SÅ JEG | 150 | CZ | P | B | 100 | 450±5 | 1~10 | Enhed: 15μm±0.5μm P 0.01~0,02 / boks: 5μm±5%,DSP |
| 1511032 | SÅ JEG | 100 | CZ | N | 100 | 475±25 | NA | Enhed: 20μm±0.5 N 0.001~0.02 / boks: 15μm±3% | |
| G8N70 | SÅ JEG | 200 | CZ | N | Ph | 100 | 725±10 | 1~10 | Enhed: 70μm±5% / boks: 1000nm±5% |
| G8K00318 | SÅ JEG | 200 | CZ | P | B | 100 | 625±10 | >1000 | Enhed: 1,5±0.5μm,<0.02 ohm.cm / Box : 2μm±5% |
| A0210 | SÅ JEG | 200 | CZ | P | B | 100 | 725±15 | 8.5~11.5 | Enhed: 1250±100nm / boks: 400±40nm |
| 112301 | SÅ JEG | 100 | CZ | N | Sb | 100 | 300 | 0.005~0.025 | Enhed: 30μm/boks: 0,5μm |
| G6P163S | SÅ JEG | 150 | CZ | P | B | 100 | 675±15 | 10~20 | Enhed: 200~240nm, 10~20 ohm.cm / boks: 2850~3150nm |
4,6,8 tommer Silicon Wafer Inventory Update_20240311 SOI
Mar 12, 2024
Læg en besked













