Om Sibranch Microelectronics
Sibranch Microelectronics blev grundlagt i 2006 og har hovedkontor i Ningbo, Kina, og blev etableret af et team af materialevidenskabelige eksperter med dybe rødder i halvlederindustrien. Vores mission er at levere høj-kvalitets halvlederwafere og relaterede tjenester til kunder over hele verden.
Vores produktsortiment
Vi er specialiserede i en omfattende portefølje af siliciumwafers, herunder:
- Standard enkelt-side polerede (SSP) og dobbelt-side polerede (DSP) wafers
- Test wafers og prime grade wafers
- Silicium-på-isolatorskiver (SOI).
- Coinroll wafers
- Diameter tilgængelig op til 12 tommer
- Vækstmetoder: CZ, MCZ og FZ
- Brugerdefinerede muligheder: Neutronbestråling, enhver krystallografisk orientering, off-skårne substrater, brede resistivitetsområder (høj og lav), ultra-flade, ultra-tynde og tykke wafers
Værditilvækst-tjenester
Ud over wafer-forsyningen tilbyder vores erfarne team avancerede behandlingsmuligheder:
- Tyndfilmsaflejring (oxid, nitrid, metallag)
- Siliciumepitaksial vækst og epitaksitjenester (SOS, GaN, GOI osv.)
- Vaffelfortynding, tilbageslibning og udskæring
Specialoblater
Vi leverer også en bred vifte af specielle krystallinske substrater:
- Safir oblater: 2" til 8", tilgængelig i A-plan, R-plan, M-plan, C-plan med muligheder for epi-polering og finslibning
- GaAs wafers: 2" til 8", P-type, N-type, halv-ledende og halv-isolerende kvaliteter
- SiC wafers: 4" til 12", 4H-N, 6H-N og 6H-SI polytyper
- Glasvafler: 1" til 12", Fused Silica, Borofoat og B270 materialer
- Enkelt krystal kvarts wafers: 2" til 6", X-cut, Y-cut og Z-cut orientering
