Bund-gate tyndfilmstransistorer (TFT'er) er en central komponent i moderne elektroniske enheder. TFT-strukturen består af et halvlederlag, source- og drænelektroder og en gate-elektrode. Gateelektroden er forbundet til styrekredsløbet og fungerer som transistorens switch.
Portelektroden er adskilt fra halvlederlaget af et isolerende lag, kendt som det dielektriske lag eller portisolatoren. Det dielektriske lag er afgørende for at bestemme transistorens ydeevne ved at regulere styrken af det elektriske felt, der genereres af gatespændingen. Valget af materialer til det dielektriske lag spiller en væsentlig rolle i fremstillingen af højtydende TFT'er, da det påvirker enhedens elektriske stabilitet, ladningsbærerens mobilitet og omskiftningshastighed.
De mest almindeligt anvendte dielektriske materialer til bottom-gate TFT'er er siliciumdioxid (SiO2), siliciumnitrid (Si3N4) og aluminiumoxid (Al2O3). Hvert af disse materialer har deres unikke egenskaber og fordele. For eksempel giver SiO2 fremragende elektrisk ydeevne og termisk stabilitet, Si3N4 giver høj gennembrudsspænding og mekanisk styrke, mens Al2O3 giver en høj dielektrisk konstant og høj termisk stabilitet.
Som konklusion er gate-elektroden og det dielektriske lag integrerede komponenter i bottom-gate TFT'er. Et korrekt designet dielektrisk lag, der opfylder enhedens ydeevnekrav, er et afgørende element for at opnå højtydende TFT'er. Med fortsat forskning og udvikling vil bottom-gate TFT'er fortsætte med at bidrage væsentligt til udviklingen af moderne elektronik.